【BSO303SP H/规格参数】厂家_BSO303SP H中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： BSO303SP H
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BSO303SP H产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSO303SP H由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供BSO303SP H价格参考以及InfineonBSO303SP H封装/规格参数等产品信息。你可以下载BSO303SP H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSO303SP H详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSOMOSFET P-KANAL
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	- 9.1 A
Id-连续漏极电流	- 9.1 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSO303SP HOptiMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/BSO303SP_Rev1+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326c2768b0126d1e691ec6884
产品型号	BSO303SP H
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
Qg-GateCharge	- 40 nC
Qg-栅极电荷	- 40 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	21 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	21 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 30 V
Vds-漏源极击穿电压	- 30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	11 ns
下降时间	33 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2330pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	54nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	21 毫欧 @ 9.1A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-DSO-8
其它名称	BSO303SP H-ND BSO303SPH BSO303SPHXUMA1 SP000613848
典型关闭延迟时间	42 ns
功率-最大值	1.56W
包装	带卷（TR）
商标	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	DSO-8
工厂包装数量	2500
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,500
正向跨导-最小值	19 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	7.2A （Ta）
系列	BSO303
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	BSO303SPHXUMA1 SP000613848